Fabrication and Characterisation of High Voltage SiC-Thyristors - Université Claude Bernard Lyon 1 Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2003

Fabrication and Characterisation of High Voltage SiC-Thyristors

Résumé

Based on numerical simulations we fabricated thyristors on SiC with respect to different pulsed power applications. In order to achieve high breakover voltages we developed and investigated various types of terminations (MESA, EGR, JTE). Thyristors, terminated by epitaxial guard rings (EGR), showed breakover voltage of up to about 1900 V. By dynamic electrical characterisations of the devices a reliable turn-on and turn-off could be demonstrated
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-02489305 , version 1 (24-02-2020)

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Citer

Volker Zorngiebel, Sigo Scharnholz, Emil Spahn, Pierre Brosselard, N. Arssi, et al.. Fabrication and Characterisation of High Voltage SiC-Thyristors. Materials Science Forum, 2003, 433-436, pp.883-886. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.433-436.883⟩. ⟨hal-02489305⟩
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