Article Dans Une Revue
Journal of Physics D: Applied Physics
Année : 2017
Bruno Daudin : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02016554
Soumis le : mardi 12 février 2019-17:15:48
Dernière modification le : lundi 12 février 2024-15:20:17
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02016554 , version 1
Citer
M. Pérès, K Lorenz, E Alves, E. Nogales, M. Mendez, et al.. Doping β -Ga 2 O 3 with europium: influence of the implantation and annealing temperature. Journal of Physics D: Applied Physics, 2017, 50 (32), pp.325101. ⟨hal-02016554⟩
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