Modification of Light Emission in Si-Rich Silicon Nitride Films Versus Stoichiometry and Excitation Light Energy - Equipe NIMPH du CIMAP - Nanomatériaux, Ions et Métamatériaux pour la PHotonique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Electronic Materials Année : 2018

Modification of Light Emission in Si-Rich Silicon Nitride Films Versus Stoichiometry and Excitation Light Energy

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02389943 , version 1 (02-12-2019)

Identifiants

Citer

T. Torchynska, L. Khomenkova, A. Slaoui. Modification of Light Emission in Si-Rich Silicon Nitride Films Versus Stoichiometry and Excitation Light Energy. Journal of Electronic Materials, 2018, 47 (7), pp.3927-3933. ⟨10.1007/s11664-018-6271-0⟩. ⟨hal-02389943⟩
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